产品名称
ON-S200 磁控溅射薄膜沉积设备

产品特性

· 工艺腔室（PM）极限真空        ≤1.0×10-7 Pa
· 工艺腔室（PM）漏率        ≤1×10-10Pa•m3/s
· 装卸腔室（LoadLock）极限真空        ≤1.0×10-5Pa
· 装卸腔室（LoadLock）漏率        ≤1×10-8 Pa•m3/s
· 装卸腔室        一次可以存储多个基片（6-25片）, 自动基片传输
· 基板加热/冷却        加热（≥900°C）/冷却（液氮/水）
· 基片尺寸        最大Ф220mm
· 基片转速        0-40rpm
· 基片行星结构        可选配
· 基片偏压        RF/DC 偏置
· 溅射方向        向上、向下、斜向、侧向可选
· 磁控源数量        根据用途和配置选择，例如可以11个2’’共焦+2个2’’离轴，或者6个3’’共焦+1个3’’直接， 

                            或者5个4’’共焦，或者5个3’’共焦+1个6’’直接，等等 
· 靶基距（TS）        调节范围最大100mm
· 靶材shutter        有
· 溅射电源        支持DC、DC Plus、RF、HiPIMS 电源
· 气体导入（MFC）        Ar、O₂、N₂、H₂ 等
· 离子源        霍尔离子源、考夫曼离子源、RF离子源可选
· 膜厚仪        可选配
· 控制系统        整机全自动操作（也可手动操作或者半自动操作）
· 安全        工业标准安全互锁，报警
· 安装条件        据设备型号和配置确定
· 镀膜重复性        1σ<1%，5Pts，10mm EE，SEM
· 膜厚均匀性        1σ<1%，5Pts，10mm EE，SEM
· 膜厚精度        0.1nm

应用范围
· 适用于200 mm及以下尺寸样品的金属、氧化物、氮化物、碳化物等薄膜材料的沉积生长，沉积薄膜种类：
  金属薄膜：Al、Cu、Cr、Ti、Ta、Ni、Mo、W、Au、Ag、Pt、Ru、Rh、Ir、NiCr、CrCu、AlCu、TiW等
  磁性薄膜：Co、CoFe、NiFe、NiFeB、CoFeB、CoCr、CoPt、CoCrPt、IrMn、MnPt等
  超导薄膜：Nb、NbN等
  氮化物薄膜：Si3N4、AlN/AlScN、TiN、CrN、TaN等
  硅化物薄膜：MoSi2、CrSi、TiSi等
  碳化物薄膜：SiC、C等
  氧化物薄膜：SiO2、Ta2O3、TiO2、Al2O3、MgO、ZnO、ITO、PZT等
  红外薄膜：Si、Ge等

· 可以应用于半导体芯片、自旋电子学器件、磁性存储介质、MEMS器件、激光器、薄膜传感器、

   导电金属/电阻合金/绝缘薄膜、光学薄膜、 太阳能光伏薄膜等生产制造。

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